KEYENCE KV-5000
- หมวดหมู่ : KEYENCE
- รหัสสินค้า : 005075
รายละเอียดสินค้า KEYENCE KV-5000
|
รุ่น |
KV-5000 |
|||
|
ชนิด |
ยูนิต CPU |
|||
|
ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ |
โหมดควบคุมทางคณิตศาสตร์ |
โหมดโปรแกรมการจัดเก็บ |
||
|
โหมดควบคุม I/O |
โหมดรีเฟรช |
|||
|
ภาษาโปรแกรม |
แลดเดอร์ขยาย, สคริปต์ KV, นีโมนิก (Mnemonic) |
|||
|
จำนวนคำสั่ง |
คำสั่งพื้นฐาน: 81 class, 182 คำสั่ง |
|||
|
ความเร็วในการประมวลผลคำสั่ง |
คำสั่งพื้นฐาน: ต่ำสุด 10 ns |
|||
|
ความจุของโปรแกรม |
ประมาณ 260k ระดับ |
|||
|
จำนวนยูนิตสูงสุดที่จะติดตั้ง |
16 ยูนิต (48 ยูนิต เมื่อเชื่อมต่อยูนิตขยาย) |
|||
|
จำนวนจุด I/O สูงสุด |
สูงสุด 3,096 จุดสำหรับการขยาย (KV-EB1S/KV-EB1R: เมื่อขยายเพิ่ม 2 ยูนิต ใช้ยูนิต I/O 64 จุด) |
|||
|
อุปกรณ์ชนิดบิต |
รีเลย์อินพุต R |
รวมทั้งสิ้น 16,000 จุด 1 บิต |
||
|
รีเลย์เอาต์พุต R |
||||
|
รีเลย์เสริมภายใน R |
||||
|
รีเลย์ลิงก์ B |
16,384 จุด 1 บิต |
|||
|
รีเลย์เสริมภายใน MR |
16,000 จุด 1 บิต |
|||
|
แลทช์รีเลย์ LR |
||||
|
คอนโทรลรีเลย์ CR |
640 จุด 1 บิต |
|||
|
อุปกรณ์ชนิดเวิร์ด |
ไทม์เมอร์ T |
4000 จุด 32 บิต |
||
|
เคาน์เตอร์ C |
||||
|
หน่วยความจำข้อมูล DM |
65,535 จุด 16 บิต |
|||
|
หน่วยความจำข้อมูลขยาย EM |
||||
|
การบันทึกไฟล์ |
โหมดการเปลี่ยนช่องหน่วยความจำ FM |
32,768 จุด × 4 ช่องหน่วยความจำ 16 บิต |
||
|
โหมดหมุน ZF |
131,072 จุด 16 บิต |
|||
|
การบันทึกลิงก์ W |
16,384 จุด 16 บิต |
|||
|
หน่วยความจำข้อมูลชั่วคราว TM |
512 จุด 16 บิต |
|||
|
เคาน์เตอร์ความเร็วสูง CTH |
2 จุด 32 บิต |
|||
|
ตัวเปรียบเทียบเคาน์เตอร์ความเร็วสูง CTC |
4 จุด, 32 บิต (2 จุดต่อเคาน์เตอร์ความเร็วสูงหนึ่งตัว) |
|||
|
อุปกรณ์ชนิดเวิร์ด Z |
12 จุด 32 บิต |
|||
|
หน่วยความจำควบคุม CM |
6,000 จุด 16 บิต |
|||
|
เอาต์พุตพัลส์กำหนดตำแหน่ง |
2 จุด (ความถี่เอาต์พุตสูงสุด: 100 kHz) |
|||
|
I/O ยูนิต CPU |
อินพุต: 16 จุด, เอาต์พุต: 8 จุด |
|||
|
ฟังก์ชันคงค่าการแสดงผลเมื่อกระแสไฟฟ้าขัดข้อง |
หน่วยความจำโปรแกรม |
Flash ROM, สามารถเขียนใหม่ได้ 100,000 ครั้ง |
||
|
อุปกรณ์ |
5 ปี (อุณหภูมิแวดล้อมในการทำงาน 25 °C ในโหมดคงค่าการแสดงผลเมื่อกระแสไฟฟ้าขัดข้อง)*1 |
|||
|
ฟังก์ชันการตรวจสอบตัวเอง |
CPU ผิดปกติ, RAM ผิดปกติ, อื่นๆ |
|||
|
ข้อมูลจำเพาะทั่วไป |
แรงดันของแหล่งจ่ายไฟ |
24 VDC (±10 %) |
||
|
ความทนทานต่อสภาพแวดล้อม |
อุณหภูมิแวดล้อมในการทำงาน |
0 ถึง +50 °C (ไม่เป็นน้ำแข็ง)*2*3 |
||
|
ความชื้นแวดล้อมในการทำงาน |
10 ถึง 95 % RH (ไม่กลั่นตัวเป็นหยดน้ำ)*2 |
|||
|
อุณหภูมิแวดล้อมในการเก็บรักษา |
-20 ถึง +70 °C*2 |
|||
|
ความชื้นแวดล้อมในการเก็บรักษา |
10 ถึง 95 % RH (ไม่กลั่นตัวเป็นหยดน้ำ)*2 |
|||
|
สภาพแวดล้อมการทำงาน |
ไม่มีฝุ่นหรือก๊าซกัดกร่อน |
|||
|
ระดับความสูงในการทำงาน |
2,000 ม. หรือน้อยกว่า |
|||
|
ระดับมลภาวะ |
2 |
|||
|
ความต้านทานต่อสัญญาณรบกวน |
1,500 Vp-p หรือมากกว่า, ความกว้างพัลส์: 1 µs, 50 ns (ตามเครื่องจำลองสัญญาณรบกวน), ตามมาตรฐาน IEC (IEC61000-4-2/3/4/6) |
|||
|
การทนต่อแรงดันไฟฟ้า |
1,500 VAC สำหรับหนึ่งนาที (ระหว่างขั้วแหล่งจ่ายไฟและขั้วเทอร์มินัล I/O และระหว่างขั้วเทอร์มินัลภายนอกและโครงสร้าง) |
|||
|
ความทนทานต่อสภาพแวดล้อม |
ความต้านทานของฉนวน |
50 MΩ หรือมากกว่า |
||
|
ความทนทานต่อการสั่นสะเทือน |
การสั่นสะเทือนเป็นระยะ: ความถี่ 5 ถึง 9 Hz |
ครึ่งแอมพลิจูด: 3.5 มม.*4 |
||
|
การสั่นสะเทือนเป็นระยะ: ความถี่ 9 ถึง 150 Hz |
อัตราเร่ง: 9.8 m/s2*4 |
|||
|
การสั่นสะเทือนต่อเนื่อง: ความถี่ 5 ถึง 9 Hz |
ครึ่งแอมพลิจูด: 1.75 มม.*4 |
|||
|
การสั่นสะเทือนต่อเนื่อง: ความถี่ 9 ถึง 150 Hz |
อัตราเร่ง: 4.9 m/s2*4 |
|||
|
การทนต่อแรงกระแทก |
อัตราเร่ง: 150 m/s2, เวลาทำงาน: 11 ms สองครั้งในทิศทางตามแกน X, Y และ Z |
|||
|
ประเภทแรงดันไฟฟ้าเกิน |
II (เมื่อใช้ KV-U7) |
|||
|
การสิ้นเปลืองกระแสไฟฟ้าภายใน |
ยูนิต CPU: 320 mA หรือน้อยกว่า |
|||
|
น้ำหนัก |
ยูนิต CPU: 320 g |
|||
รีวิว (2)
เพิ่มรีวิว
